炭化シリコンの爆発

化学式SICを備えた炭化シリコン（SIC）は、共有結合を介したシリコンと炭素原子の組み合わせによって形成される化合物です。自然界では、微量で存在し、工業的に使用されるSICのほとんどは合成です。 SICにはさまざまな結晶構造があります。 2つの主なタイプは、六角形または菱面体構造を持つ-SICと、立方亜鉛ブレンド構造を持つ-SICです。 -SICは、2100度を超える温度で-SICに変換されます。この材料の密度は3.21 g/cm³です。それは常識に典型的な融点ではなく、分解温度を持っています。通常、2700度で分解して昇華します。

SICの合成は、いくつかの方法で達成できます。一般的な方法の1つは、シリカ法の炭素還元です。このプロセスでは、温度が約1400度に達すると、反応は非常に細かい結晶を持つ低温型-SICを生成します。温度が2100度に上昇すると、製品は徐々に高温の-SICに変換されます。ただし、温度が2600度を超えると、SICは有意な昇華分解を受け、シリコン蒸気が揮発し、グラファイトを置き去りにします。したがって、典型的な最終反応温度は1900 - 2200程度に設定されます。別の方法は、化学蒸気堆積（CVD）メソッドです。これは、高純度SICを取得するためによく使用されます。たとえば、加熱されたグラファイトロッドで反応する四塩化シリコン、ベンゼン、および水素蒸気の混合物を使用すると、SICはグラファイト表面に堆積します。

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