炭化シリコンの紹介

炭化シリコンの紹介

炭化シリコン(SIC)は、シリコンと炭素の合成化合物であり、その卓越した物理的および電子的特性で有名です。 1891年にアメリカの発明家エドワード・G・アチソンによって最初に発見されたダイヤモンドの統合を試みている間、SICはその後、高温、高出力、および高頻度のアプリケーションの重要な材料になりました。
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説明

炭化シリコンの重要な特性

 

硬度と耐久性:〜9.5(ダイヤモンドに近い)のMOHS硬度により、SICは最も困難な材料の1つであり、研磨剤と切削工具に最適です。

熱安定性:SICは、最大1,600度の温度で強度を維持し、ほとんどの金属と半導体を上回ります。

ワイドバンドギャップ(4H-SICで3.26 eV):これにより、シリコンと比較して高電圧の高温電子機器で優れた性能が可能になります。

化学的不活性:酸化、酸、およびアルカリに耐性があるSICは、過酷な環境(航空宇宙、原子炉)で使用されます。

高い熱伝導率:パワーエレクトロニクスの効率的な熱散逸を促進します。

silicon carbide

炭化シリコンの適用

 

エレクトロニクス:パワーデバイス(例、MOSFET、SCHOTTKY DIODES)、RFコンポーネント、およびLED基板。

産業:研磨剤、切削工具、耐摩耗性コーティング。

エネルギー:電気自動車用のインバーター(EV)、ソーラーパネル、および風力タービン。

防衛と航空宇宙:ジェットエンジン、レーダーシステム、および宇宙探査用のコンポーネント。

 

シリコンよりも利点

 

SICデバイスは、エネルギー損失が低い高電圧、温度、周波数で動作し、EV(テスラのSICインバーターなど)や5Gインフラストラクチャなどのより小さく、より効率的なシステム革新化産業を可能にします。

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課題

複雑な結晶の成長による高い生産コスト(例えば、修正された方法)。

ウェーハの欠陥感度。

 

将来の見通し

エネルギー効率の高い技術の需要が高まるにつれて、SICは多くの高性能アプリケーションでシリコンを置き換える準備ができており、2030年までに市場は100億ドルを超えると予測されています。

 

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